ขั้วต่อ RF เป็นส่วนประกอบอิเล็กทรอนิกส์ที่จําเป็นในอุปกรณ์และเครื่องมืออิเล็กทรอนิกส์ไร้สายและ VSWR เป็นพารามิเตอร์ไฟฟ้าที่สําคัญของขั้วต่อ RF
1、ปัจจัยหลักที่มีผลต่ออัตราส่วนคลื่นยืนของขั้วต่อ RF
ค่าสัมประสิทธิ์การสะท้อนส่วนใหญ่เกี่ยวข้องกับความสม่ําเสมอของความต้านทานของสายส่ง ในระยะสั้นในตัวเชื่อมต่อที่ความต้านทานเบี่ยงเบนจากค่าความต้านทานลักษณะเล็กน้อยมันจะทําให้เกิดการสะท้อน
ขั้วต่อ RF เป็นหลักสายโคแอกเซียลที่ไม่สม่ําเสมอพร้อมกลไกการเชื่อมต่ออุปกรณ์หนีบสายเคเบิลและอุปกรณ์อื่น ๆ ใช้ตัวเชื่อมต่อตรงเป็นตัวอย่างเมื่อเทียบกับสายโคแอกเซียลสม่ําเสมอมันมีสามไม่สม่ําเสมอที่ชัดเจน: พื้นที่สนับสนุนฉนวนกันความร้อนพื้นที่เปลี่ยนขนาดตัวนําและข้อต่อระหว่างตัวเชื่อมต่อและสายเคเบิล ในสถานที่เหล่านี้มีการเปลี่ยนแปลงในเส้นผ่าศูนย์กลางและรูปร่างของตัวนําส่งผลให้ความจุและการสะท้อนไม่ต่อเนื่อง นอกจากนี้ยังมีปัจจัยอื่น ๆ ที่ทําให้เกิดการสะท้อนเช่นช่องว่างการเชื่อมต่อตัวนําการเบี่ยงเบนเส้นผ่านศูนย์กลางตัวนําความแปลกประหลาดของตัวนําภายในและภายนอกช่องสัมผัสการเบี่ยงเบนคงที่อิเล็กทริกและความหยาบผิวตัวนํา อย่างไรก็ตามจุดสามจุดข้างต้นเป็นสามแหล่งสะท้อนที่สําคัญในตัวเชื่อมต่อ ตราบใดที่การสะท้อนที่เกิดจากพวกเขาลดลงเป็นระดับที่ทนได้คนอื่น ๆ ก็ไม่ยากที่จะแก้ไข
2、วิธีลด VSWR ของขั้วต่อ RF
1.การออกแบบของการสนับสนุนฉนวนกันความร้อนที่ดีที่สุด
ตัวเชื่อมต่อ RF เกือบทั้งหมดรองรับฉนวน การสนับสนุนมีหลายประเภท สองที่ใช้กันมากที่สุดจะแสดงในรูปด้านล่าง เนื่องจากการแทรกแซงของการสนับสนุนการกลายพันธุ์ขั้นตอนของเส้นผ่านศูนย์กลางตัวนําจะเกิดขึ้นซึ่งจะทําลายความสม่ําเสมอของสายส่ง
ความจุที่ไม่ต่อเนื่องสามารถชดเชยได้โดยเพิ่มความต้านทานลักษณะของภูมิภาคอิเล็กทริกนั่นคือโดยการเพิ่มการเหนี่ยวนํา วิธีนี้เรียกว่าการชดเชยปฏิกิริยาสูง
2.การออกแบบที่ดีที่สุดของตัวนําเส้นผ่าศูนย์กลางส่วนการเปลี่ยนแปลง
ในอะแดปเตอร์หรือขั้วต่อสายเคเบิลเนื่องจากความแตกต่างของขนาดอินเทอร์เฟซจึงหลีกเลี่ยงไม่ได้ที่ขนาดของส่วนตัวนําจะเปลี่ยนจากเล็กเป็นใหญ่หรือจากใหญ่เป็นเล็ก เพื่อลดการสะท้อนที่เกิดจากความจุที่ไม่ต่อเนื่องในส่วนการเปลี่ยนมักจะมีโหมดการเปลี่ยนสามโหมด: การเปลี่ยนมุมขวาการเปลี่ยนรูปกรวยและการเปลี่ยนพาราโบลา วิธีการเปลี่ยนสองวิธีหลังมีการใช้งานน้อยลงเนื่องจากความซับซ้อนของการตัดเฉือนและความยากลําบากในการรับรองความถูกต้อง ในทางตรงกันข้ามเนื่องจากความสะดวกในการประมวลผลและการควบคุมความแม่นยําได้ง่ายตัวเชื่อมต่อปัจจุบันเกือบทั้งหมด (รวมถึงประเภทความแม่นยํา) จึงใช้ประเภทการเปลี่ยนมุมขวาดังที่แสดงในรูปด้านล่าง หลักการของการเปลี่ยนแปลงนี้คือการเพิ่มการเหนี่ยวนําและชดเชยความจุโดยการส่ายหน้าตัดของการกลายพันธุ์ของเส้นผ่านศูนย์กลางตัวนําภายในและภายนอกเพื่อให้วงจรเป็นกลาง นอกจากนี้ยังเป็นการชดเชยความต้านทานสูง
3.พิจารณาการออกแบบของส่วนร่วมระหว่างการเชื่อมต่อและสายเคเบิล
ที่จุดเชื่อมต่อของตัวเชื่อมต่อและสายเคเบิลเส้นผ่านศูนย์กลางตัวนําจะเปลี่ยนไปทันที
เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพ VSWR ที่ดีที่สุดเส้นผ่านศูนย์กลางตัวนําของตัวเชื่อมต่อและสายเคเบิลควรอยู่ใกล้ที่สุด
4.การควบคุมของตัวนําภายในเชื่อมต่อช่องว่าง
ในขั้วต่อ RF และอะแดปเตอร์ช่องว่างการเชื่อมต่อของตัวนําไม่สามารถตัดออกได้ เพื่อไม่ให้เกิดความเสียหายกับตัวเชื่อมต่อและลดต้นทุนการออกแบบตามปกติคือเพื่อให้แน่ใจว่าช่องว่างการเชื่อมต่อตัวนําด้านนอกเป็น 0 และอนุญาตให้มีช่องว่างการเชื่อมต่อบนตัวนําด้านใน ช่องว่างนี้จะทําให้เกิดการสะท้อนเพิ่มเติมและค่าที่อนุญาตขึ้นอยู่กับข้อกําหนดด้านประสิทธิภาพของ VSWR
ในเวลาเดียวกันยิ่งใช้คลื่นความถี่สูงมากเท่านั้นยิ่งจําเป็นต้องควบคุมความทนทานต่อมิติตามแนวแกนของตัวนําภายในและภายนอกของตัวเชื่อมต่อหรืออะแดปเตอร์
5.อิทธิพลของความอดทนมิติตัวนําและการเบี่ยงเบนคงที่อิเล็กทริก
ทั้งความอดทนมิติของตัวนําและการเบี่ยงเบนของการอนุญาตสัมพัทธ์อิเล็กทริกจะทําให้เกิดการเบี่ยงเบนความต้านทานลักษณะของตัวเชื่อมต่อ
เพื่อให้ได้ VSWR ต่ําจําเป็นต้องควบคุมความแม่นยําในความทนทานต่อมิติของตัวนําอย่างเหมาะสมโดยเฉพาะอย่างยิ่งให้ความสนใจกับข้อตกลงที่ดีระหว่างค่าการออกแบบและค่าที่แท้จริงของการอนุญาตสัมพัทธ์อิเล็กทริก
3、หลักการพื้นฐานของการออกแบบบรอดแบนด์ต่ําเชื่อมต่อ vswr
ไม่จําเป็นต้องเพิ่มหรือลดความต้านทานลักษณะของส่วนของสายส่งเพื่อชดเชยความจุที่ไม่ต่อเนื่องที่เกิดจากการกลายพันธุ์ของเส้นผ่านศูนย์กลางตัวนําช่องตัวนําหรือช่องว่าง เพื่อให้ได้ประสิทธิภาพบรอดแบนด์ที่ดีที่สุดความต้านทานลักษณะของแต่ละหน่วยความยาวของตัวเชื่อมต่อควรรักษาความสอดคล้องให้มากที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้
ขั้นแรกควรลดความจุที่ไม่ต่อเนื่องที่ไม่ซับซ้อน จากนั้นควรใช้การชดเชยโคพลานาร์หรือปฏิกิริยาสูงสําหรับแต่ละความจุที่ไม่ต่อเนื่องที่หลีกเลี่ยงไม่ได้และควรได้รับผลที่ดีที่สุดผ่านการทดสอบการแยก
ผลกระทบของความทนทานเชิงกลการสึกหรอและวัสดุอิเล็กทริกต่อ VSWR ควรลดลงโดยการออกแบบโครงสร้างหรือการรักษาพื้นผิว
หลักการทั้งสามนี้บางครั้งขัดแย้งกันและสามารถพิจารณาได้ตามความต้องการและการประนีประนอมที่เป็นไปได้เท่านั้น